塘厦芯片回收
  • 塘厦芯片回收
  • 塘厦芯片回收
  • 塘厦芯片回收

产品描述

产品规格不限包装说明不限品牌NXP,TI,ST,ADI,ON等等 封装外形QFP,QFN,BGA,SOP等 产地进口或国产 交付方式不限 包装全新原装 加工定制 服务内容回收服务 计量单位kg 重量以实际称重为准 用途回收利用 类别IC芯片 类别各种电子元器件 类别光耦 其它拆机电子物料 类别三极管 类别电容 类别单片机 类别继电器 类别MOS管

塘厦芯片回收


长期回收各种电子IC,Altera芯片,存储器芯片,NS国半IC芯片,松下Panasonic继电器,IG管,霍尔元件芯片,英特尔BGA,库存电子元器件,intel英特尔内存芯片,Avago安华高光耦,DDR3内存条,TOSHINA东芝三极管,精工芯片,风华高科电容,接插件,Cypress芯片,博通芯片,IR三极管,三星内存FLASH,三菱IG模块,TOSHINA东芝手机字库,海力士SK Hynix内存条,ST芯片,霍尔元件,笔记本内存条,Hynix海力士内存FLASH,博士Bosch芯片IC,三星EMMC字库

塘厦芯片回收

回收遥控IC,芯片回收,
XC6SLX25-2FTG256、PCA9557PWR、ZR36966ELC、AO7404、TM3TI4、PI6C557-03LE、ACPL-C797-000E、FDS2734、LP2996MX/NOPB、BSS84-7、ADV7623BS、MT25QL256ABA1EW7-0SIT、MB90F387SPMT、W77L516A25PL、TPC8067-H、SN65HVDA541、STM8AF6246、TQP4M9071、V3S、53398-1171、SN74LVC1G08DBVRG4、STP3NK90ZFP、LPC1751FBD80、SN74LVC3G34DCUR、DSX321G、MAX160、MM2222ALT3G、ATTINY20-SSU、ENG3216F、NL3S22SMUTAG、OZ9998BGN、BCM56980、CNY74-4H、SSC54-E3/57T、SLF12575T-330M3R2、LT8640EUDC-1、TAP226K025SCS、MAX170、TXB0106RGY、TPS75225QPWPR、LM5106SDX、MAX1239、LM248DR、BQ2012SN、EPM1270F256、MAX6643LBBAEE、RT574SA、AD7829-1、TLV70018DCKR、A81X05F5001、HY62256ALP-70、FAN1117AD33X、 PIC16F1825、S558-5999-U7-F、TLP3106、US6M2、MT28EW512ABA1HPC、MSP430F478、SAW、MMA8452QR、TSB15N10A、0218002.MXP、B39272B51、IRFPS40N60KPBF、MT47H64M16HR-3IT:G、MAX6722A、W9425G6KH-5I、CP2104-F03-GM、ADM809LART、IS25LP128F-JBLE、ATMEGAS128-MD-HP、ASDMB-24.000MHZ-LC、DS1220Y-200IND、JS28F640、TPS73701DRBR、FTD6811T、NC7SZ126M5X、R69006A1FNQV、AD8646ARZ-REEL、TX2-24V、LM7818CT、BCP56-10、LFE2M20SE-5FN256C、ADF7011、MCR18EZHJ221、BL9198、ZT2003S、ADG506ATE/883、74LVCH162245ADGG、APT1608QBC、CY62148DV30LL-70BVI、MAX1044、MB89F538-101PMC-GE1、S-80821CNMC-B8GT2G、B3D090M-C、HM72LP4、DS1742-85、TVX1E222MCD、SI2305DS-T1-E3、AD9225、EFMAF103、2MBI600VE-120-50、EP3C25F324A7N、LBAS516T1G、H1164NLT、DS1340、UPD78F0411GA-GAM-AX、TLP2345、CY7C106133-10ZI、C0603C332K5RAC、TQP3M9007、NJM3404、ADSP-2189N、SY5802FAC、PM5318-SI、MT6761V、SN74LS244DWR、MAX6025AEUR、HM62LP5E、MAX6921、PIC12F519-I/MS、APL78L05DC-TRG、MAX7500、TPS65023、169DW、AMS1085CM-3.3、W25Q128FVPIG、MAX961ESA+、ADP7102ACPZ-3.3、IR333C-A、CY7C1325G-133AXC、AT45DB641E-SHN2B-T、MC100EL32DR2、SI7121ADN、MAX11040、88E1121RA0-TFE1C000、PE-67583、NCP81278TMNTXG、1393315-9、MGA68563-TR1G、XC2V4000-4FF1152C、TPS62260TDRVRQ1、MP3430HQ、RF7234、IR3840AMTR1PBF、OPA698、SN65HVD1791、EPM240F100C5N、ZX279112、24LC2561SM、SGM4717EP-YWQ10/TR、STPCI2HEYC、CAT93C56S-TE13、ADS7280、MXL1016CS8、B70E6327、AD8803、SP310EET-L/TR、USB5807、SFH4232A、HCM5、MAX4717EUB+T、AD7541AKP、54104-3231

其中半导体器件(包括:半导体分立器件、集成电路等)大多数是辐射敏感器件,辐射环境对这些器件的性能会产生不同程度的影响,甚至使其失效。针对各种辐射效应,在器件的材料、电路设计、结构设计、工艺制造及封装等各个环节采取加固措施,使其具有一定的抗辐射性能。选择抗辐射加固的器件应用在空间辐射环境中,将能提高**器的可靠性和使用寿命;应用在战略中,将能提高其效能和突防能力。空间辐射环境对电子器件主要产生电离辐射总剂量(TID)效应和单粒子效应(SEE);核辐射环境尤其是核环境,主要产生瞬时电离辐射总剂量效应、中子辐射效应和电磁脉冲损伤效应。


http://xwj1688.b2b168.com
产品推荐

Development, design, production and sales in one of the manufacturing enterprises

您是第202801位访客
版权所有 ©2024 八方资源网 粤ICP备10089450号-8 深圳市龙岗区鑫万疆再生资源商行 保留所有权利.

深圳市龙岗区鑫万疆再生资源商行 保留所有权利.

技术支持: 八方资源网 八方供应信息 投诉举报 网站地图