凤岗定位芯片回收

2023-05-13 浏览次数:7

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先测试出可控硅的峰值电压,将电线正负极连接至K两较,接地线接至室内主接地上,逐渐升压,测试其漏电流数值。进行漏电测试后,逐渐升压,观测漏电流,当数值**过其额定峰值电压后,可控硅被击穿,但采用此方法可能会破坏其PN结,并且只能测试其是否导通,而不能测试其导通是否良好,故不再采用此法进行测试。摇表测试法用摇表对可控硅进行测量,参照之前使用的漏电检测法。为防止摇表法测试过程中击穿或损坏可控硅,改变摇表操作方法,即要对摇表电压和转速进行控制,两笔端链接K较对其进行测试。


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